Principal

           Comentar publicación Español
x

Elige tu idioma

EnglishEspañol

Escritura y refrescamiento de memoria dinámica

Ver en modo diapositivas

 

Escritura y refrescamiento de memoria dinámica

 

Fotos en el album: 11

 

En la imagen se ve una secuencia de escritura de datos en las celdas de memoria DRAM (memoria RAM dinámica). Aquí se toma una cantidad de celdas para graficar el ejemplo, ya que en realidad en un módulo de memoria común hay miles de millones de celdas (una para cada bit), así en un módulo que puede almacenar temporalmente hasta 4 Gigabytes de datos hay 34.359.738.368 celdas (4 Gigabytes x 8 bits) de memoria para almacenar bits 1 y 0 (en realidad los ceros equvalen a celdas vacías y los 1 a celdas llenas de electrones).

Primero el controlador de memoria selecciona la fila con una señal RAS (Row Address Strobe o Señal de Dirección de Fila), luego envía señales CAS (Column Address Strobe o Señal de Dirección de Columna), que no son otra cosa que cargas eléctricas, a las columnas donde se encuentran las celdas a llenar con electrones y que representarán los bits 1 de un byte (compuesto por 8 bits); mientras que los bits 0 se representan dejando celdas vacías.

<< Volver al artículo de Cómo funciona la memoria de una computadora

Sé el primero al que le gusta
Compartir


Sigue a Youbioit